eeprom 文章進(jìn)入eeprom技術(shù)社區(qū)

avr eeprom保護(hù)方法.

在項(xiàng)目中復(fù)制出來的程序，使用時(shí)可能有些地方需要修改。編譯環(huán)境：WinAVR-20060421+AVRStudio4.12.498ServicePack4基本思路：每份寫到EEPRM的數(shù)據(jù)，都做三個(gè)備份，每個(gè)備份的數(shù)據(jù)都做CRC16校驗(yàn)，只要系統(tǒng)運(yùn)行中出錯(cuò)，錯(cuò)誤地修改了EEPROM數(shù)據(jù)，那么根據(jù)校驗(yàn)字節(jié)就知道哪個(gè)備份的數(shù)據(jù)被修改了，然后用正確的備份覆蓋出錯(cuò)的備份，達(dá)到數(shù)據(jù)恢復(fù)的目的。EEPROMSave.h文件：#defineEepromPageSize 64 //頁容量定義#defineEepromPag
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EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲(chǔ)器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲(chǔ)器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
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MSPM0在指定Flash地址開辟模擬EEPROM

在嵌入式系統(tǒng)中，諸如變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用，乃至CD播放器等眾多消費(fèi)電子產(chǎn)品，都需要保存最近的用戶設(shè)置，在下次上電后加載使用。如果使用MCU內(nèi)置Flash，一般擦寫次數(shù)限制在10k次，無法滿足壽命和耐久性要求，所以只能通過外置EEPROM實(shí)現(xiàn)。TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM，在小容量存儲(chǔ)需求的場合能節(jié)省外部EEPROM芯片，實(shí)現(xiàn)成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB，其中低32KB的Flash區(qū)域支持10萬次擦寫，而剩余區(qū)域支持1萬
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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

4月27日，上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì)，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求，應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝，具備低功耗、
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復(fù)旦微電子推出低功耗超寬電壓I2C串行EEPROM

上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司近日推出了低功耗超寬電壓FM24LNXXX系列I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器，可滿足CCM、白電、電表儀器、5G通訊、車載等相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用需求。該系列首批容量包含F(xiàn)M24LN64（64Kbit）和FM24LN128（128Kbit）兩個(gè)型號(hào)。產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍，溫度覆蓋-40℃~+85℃，全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率，5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA，讀寫電流不超過0.8mA，產(chǎn)品滿足400萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存100年的高可靠性
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作，其評測樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開始供應(yīng)。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù)，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會(huì)遺失。
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富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運(yùn)作。其一大特色是極低的平均
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意法半導(dǎo)體推出業(yè)界首款4Mbit EEPROM存儲(chǔ)芯片，讓小型設(shè)備也能處理更多的用戶數(shù)據(jù)

v? ? ? ? ??業(yè)界首款4Mbit EEPROM，采用低成本的小型8引腳封裝v? ? ? ? ??數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量提升讓智能設(shè)備功能更多，精度更高v? ? ? ? ??意法半導(dǎo)體是世界最大的串行EEPROM存儲(chǔ)器廠商，串行EEPROM存儲(chǔ)器應(yīng)用廣泛近日，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroe
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數(shù)據(jù)存儲(chǔ)很重要，這塊把錢省不掉？

多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候，我才知道，原來我倆在項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
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EEPROM和EPROM的區(qū)別在哪里？

　　EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片，EEPROM可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程，一般用在即插即用。EPROM是一種斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存芯片，它是一組浮柵晶體管，被一個(gè)提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強(qiáng)紫外線照射來擦除，通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識(shí)別EPROM，這個(gè)窗口同時(shí)用來進(jìn)行紫外線擦除。　　　　一、EEPROM和EPROM的發(fā)展歷程不同　　在微機(jī)的發(fā)展初期，BIOS都
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真正的汽車0級EEPROM支持下一代汽車特性

對于可擦除的、非易失性的存儲(chǔ)，業(yè)界已經(jīng)在兩項(xiàng)技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時(shí)的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時(shí)，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
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支持下一代特性的真正的汽車0級認(rèn)證和低壓1級汽車級EEPROM

　　在當(dāng)今時(shí)代，我們的出行需要汽車等交通工具，與其說追求汽車的多功能和花哨，我們所依賴的更多功能現(xiàn)在被考慮為安全至上，這意味著它們必須滿足更高的要求。集成電路處于惡劣的環(huán)境中，不叫不容易把握，最常見的可能也是汽車。在汽車行業(yè)，常需設(shè)計(jì)能承受溫度達(dá)+125°C的電子控制單元以實(shí)現(xiàn)安全至上的特性，對于滿足這一要求的器件，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是AECQ-100汽車1級，其中1級指該器件已經(jīng)過在-40°C到+125°C之間的環(huán)境溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的測試?！　∵@很重要，因?yàn)槠骷臄?shù)據(jù)表通常將說明在+25℃的環(huán)境溫度下的性能，并顯示
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如何在Linux環(huán)境下設(shè)計(jì)基于I2C總線的EEPROM 驅(qū)動(dòng)程序？

1　引言I2C　(Inter-Integrated　Circuit1總線是一種由Philips公司開發(fā)的2線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式，
關(guān)鍵字： Linux I2C總線 EEPROM 驅(qū)動(dòng)程序

在Linux環(huán)境下I2C總線EEPROM驅(qū)動(dòng)程序應(yīng)該如何設(shè)計(jì)

I2C　(Inter-Integrated　Circuit1總線是一種由Philips公司開發(fā)的2線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式，具有接
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性能差異化為賣點(diǎn)，富士通這三大技術(shù)要成存儲(chǔ)黑馬

　　大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)市場火爆異常，價(jià)格一漲再漲，從手機(jī)、電腦、汽車、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開存儲(chǔ)器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設(shè)備更離不開高性能、高耐久性以及低功耗特性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。作為系統(tǒng)關(guān)鍵組成部分，存儲(chǔ)性能至關(guān)重要。面對市場上參差不齊的存儲(chǔ)器，選擇的方向是什么?未來，存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新又該從哪些方面下手呢?　　在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)上，富士通電子元器件產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新就富士通對非易失性存儲(chǔ)器的策略以及創(chuàng)新方向?yàn)榇蠹易隽朔窒??！?/li>
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eeprom介紹

　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。　　EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。 [ 查看詳細(xì) ]